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Original title:
GaN Heterostructures for Biosensing and Radiation Detection
Translated title:
GaN-Heterostrukturen für Biosensorik und die Detektion ionisierende Strahlung
Author:
Howgate, John
Year:
2012
Document type:
Dissertation
Faculty/School:
Fakultät für Physik
Advisor:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.)
Referee:
Stutzmann, Martin (Prof. Dr.); Thalhammer, Stefan (Priv.-Doz. Dr.)
Language:
en
Subject group:
PHY Physik
Abstract:
In this thesis I show the results from our investigation of the interface between gallium nitride wide bandgap semiconductor heterostructures and (bio)molecular systems on their surfaces for biosensing, bioelectronics, and photoelectric applications. Here, I place a large emphasis on the processes arising from high energy ionizing irradiation, including heterostructure photoelectric gain mechanisms.
Translated abstract:
Diese Doktorarbeit zeigt die Ergebnisse von Untersuchungen der Grenzfläche zwischen Halbleiter-Heterostrukturen mit großer Bandlücke (Galliumnitrid) und (bio)molekularen Systemen auf deren Oberfläche für den Einsatz in der Biosensorik, Bioelektronik und für photoelektrische Anwendungen. Ein Schwerpunkt liegt dabei auf den Prozessen, die durch hochenergetische ionisierende Strahlung hervorgerufen werden, insbesondere neuartige photoelektrischen Verstärkungs-Mechanismen innerhalb der Heterostruktu...     »
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1121465
Date of submission:
04.12.2012
Oral examination:
17.12.2012
File size:
14529227 bytes
Pages:
168
Urn (citeable URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20121217-1121465-0-9
Last change:
17.01.2013
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