User: Guest  Login
Original title:
Investigation of Properties of Novel Silicon Pixel Assemblies Employing Thin n-in-p Sensors and 3D-Integration 
Translated title:
Erforschung der Eigenschaften eines neuen Silizium-Pixel-Moduls mit dünnen n-in-p Sensoren und 3D-Integration 
Year:
2013 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Advisor:
Bethke, Siegfried (Prof. Dr.) 
Referee:
Bethke, Siegfried (Prof. Dr.); Paul, Stephan (Prof. Dr.) 
Language:
en 
Subject group:
PHY Physik 
Keywords:
ATLAS, Pixel detector, HL-LHC, n-in-p, Thin sensors, 3D-integration, Radiation damage 
Translated keywords:
ATLAS, Pixeldetektor, HL-LHC, n-in-p, Dünne Sensoren, 3D-Integration, Strahlenschäden 
Controlled terms:
ATLAS Teilchendetektor; Zentraler Spurdetektor; Nachbesserung; Luminosität Elementarteilchenphysik; Siliciumdetektor; Pixeldetektor 
TUM classification:
PHY 406d 
Abstract:
A new pixel assembly concept for high energy physics experiments at the HL-LHC is investigated. It answers the challenges posed by the high instantaneous luminosities, resulting in high track densities and radiation damage. It employs five novel technologies: n-in-p pixel sensors, thin pixel sensors, slim edges with or without implanted sensor sides, and 3D-integration incorporating a new interconnection technology, named Solid Liquid InterDiffusion (SLID) as well as Inter-Chip-Vias (ICV). 
Translated abstract:
Ein neues Pixelmodulkonzept für Hochenergiephysikexperimente am HL-LHC wird erforscht. Es erfüllt die Anforderungen, die sich durch die hohen instantanen Luminositäten ergeben. Dies sind hohe Spurdichten sowie Strahlenschäden. Dabei kommen fünf neue Technologien zum Einsatz: n-in-p Pixelsensoren, dünne Sensoren, schmale Randzonen sowohl mit als auch ohne implantierte Sensorseiten sowie 3D-Integration. Die 3D-Integration setzt sich zusammen, aus einer neuen Verbindungstechnologie, genannt Solid L...    »
 
Oral examination:
16.01.2013 
File size:
14062663 bytes 
Pages:
165 
Last change:
27.03.2013