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Dokumenttyp:
Patentanmeldung 
Patentanmeldung Nr.:
TW 201212318 A 
Erfinder:
KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US 
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, DE SHRIVASTAVA RITU, US 
Titel:
TW 201212318 A Memory cell with resistance-switching layers and lateral arrangement 
Anmeldeland:
TW 
Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
16.03.2012 
Jahr:
2012 
Sprache:
Sonstige 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text