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- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 8216862 B2
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US
- Titel:
- Forming and training processes for resistance-change memory cell
- Anmeldeland:
- US
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 10.07.2012
- Jahr:
- 2012
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX