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Dokumenttyp:
Patent 
Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
US 8216862 B2 
Erfinder:
KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US 
Patentanmelder:
KREUPL FRANZ, US SEKAR DEEPAK C, US 
Titel:
Forming and training processes for resistance-change memory cell 
Anmeldeland:
US 
Veröffentlichungsdatum / Patent:
10.07.2012 
Jahr:
2012 
Sprache:
en 
TUM Einrichtung:
Hybride Elektronische Systeme 
Format:
Text