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Originaltitel:
Electronic properties of electrolyte-gated diamond FETs for bioelectronic applications 
Übersetzter Titel:
Elektronische Eigenschaften von Diamant Elektrolyt-Gate FETs für die Bioelektronik 
Jahr:
2012 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Garrido Ariza, Jose Antonio (Priv.-Doz. Dr.) 
Gutachter:
Garrido Ariza, Jose Antonio (Priv.-Doz. Dr.); Simmel, Friedrich (Prof. Dr.) 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik 
Stichworte:
diamond, electrolyte, FET, Hall effect, bioelectronics 
Übersetzte Stichworte:
Diamant, Elektrolyt, FET, Hall Effekt, Bioelektronik 
Kurzfassung:
In this thesis, solution gate field effect transistors (SGFETs) based on surface conductive, hydrogen-terminated diamond are investigated. In-liquid electrolyte-gated Hall effect experiments were used to study the electronic transport of carriers in the p-type channel. Different scattering mechanisms were found to limit the Hall mobility, depending on the level of nitrogen impurities and the surface orientation. The gate-dependent accumulation of holes at the diamond/electrolyte interface was st...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Gegenstand dieser Arbeit sind Elektrolyt-Gate Feldeffekttransistoren (SGFET) aus Oberflächen-leitfähigem Wasserstoff-terminiertem Diamant. Der elektronische Transport von Ladungsträgern im Lochkanal wurde mit Hilfe von Hall Effekt Experimenten im Elektrolyt gemessen. Verschiedene Streumechanismen limitieren die Hall-Beweglichkeit abhängig von der Kristallorientierung und dem Anteil an Stickstoff Fremdatomen. Die Gate-abhängige Akkumulation von Löchern an der Diamant/Elektrolyt Grenzfläche wurde...    »
 
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology 
Bandnummer:
152 
Mündliche Prüfung:
28.11.2012 
Dateigröße:
20863757 bytes 
Seiten:
205 
Letzte Änderung:
30.01.2013