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Originaltitel:
Electronic properties of electrolyte-gated diamond FETs for bioelectronic applications
Übersetzter Titel:
Elektronische Eigenschaften von Diamant Elektrolyt-Gate FETs für die Bioelektronik
Autor:
Dankerl, Markus
Jahr:
2012
Dokumenttyp:
Dissertation
Fakultät/School:
Fakultät für Physik
Betreuer:
Garrido Ariza, Jose Antonio (Priv.-Doz. Dr.)
Gutachter:
Garrido Ariza, Jose Antonio (Priv.-Doz. Dr.); Simmel, Friedrich (Prof. Dr.)
Sprache:
en
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik; PHY Physik
Stichworte:
diamond, electrolyte, FET, Hall effect, bioelectronics
Übersetzte Stichworte:
Diamant, Elektrolyt, FET, Hall Effekt, Bioelektronik
Kurzfassung:
In this thesis, solution gate field effect transistors (SGFETs) based on surface conductive, hydrogen-terminated diamond are investigated. In-liquid electrolyte-gated Hall effect experiments were used to study the electronic transport of carriers in the p-type channel. Different scattering mechanisms were found to limit the Hall mobility, depending on the level of nitrogen impurities and the surface orientation. The gate-dependent accumulation of holes at the diamond/electrolyte interface was st...     »
Übersetzte Kurzfassung:
Gegenstand dieser Arbeit sind Elektrolyt-Gate Feldeffekttransistoren (SGFET) aus Oberflächen-leitfähigem Wasserstoff-terminiertem Diamant. Der elektronische Transport von Ladungsträgern im Lochkanal wurde mit Hilfe von Hall Effekt Experimenten im Elektrolyt gemessen. Verschiedene Streumechanismen limitieren die Hall-Beweglichkeit abhängig von der Kristallorientierung und dem Anteil an Stickstoff Fremdatomen. Die Gate-abhängige Akkumulation von Löchern an der Diamant/Elektrolyt Grenzfläche wurde...     »
Serie / Reihe:
Selected Topics of Semiconductor Physics and Technology
Bandnummer:
152
WWW:
https://mediatum.ub.tum.de/?id=1113040
Eingereicht am:
03.08.2012
Mündliche Prüfung:
28.11.2012
Dateigröße:
20863757 bytes
Seiten:
205
Urn (Zitierfähige URL):
https://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:bvb:91-diss-20121128-1113040-1-4
Letzte Änderung:
30.01.2013
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