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Originaltitel:
Nichtstationäres Rauschen im Zell-Transistor-Kontakt durch quantisierte Ionenströme 
Übersetzter Titel:
Nonstationary noise in the cell-chip junction by quantized ion currents 
Jahr:
2012 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Fromherz, Peter (Prof. Dr.); Simmel, Friedrich (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
PHY Physik 
Kurzfassung:
Über Analyse des nichtstationären Rauschens wird die quantisierte Antwort von Electrolyte-Oxide-Semiconductor Feldeffekttransistoren auf Ströme von Ionenkanälen nachgewiesen. Ein spannungsabhängiger Kaliumkanal wird in tsA201 Zellen exprimiert, die auf rauscharmen EOSFETs adhärieren und mittels Patch-Clamp depolarisiert werden. Durch Modellierung des Zell-Chip-Kontakts als Kern-Mantel-Leiter wird das Rauschen der Gatespannung auf den quantisierten Membranstrom zurückgeführt. 
Übersetzte Kurzfassung:
By nonstationary noise analysis the quantized response of electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistors to currents of ion channel is revealed. A voltage gated potassium channel is stably overexpressed in tsA201 cells. They adhere on low-noise EOSFETs and are depolarized using voltage clamp. By modeling the cell-chip junction as a core-coat conductor the noise of the gate voltage can be attributed to the quantized membrane current. 
Mündliche Prüfung:
20.07.2012 
Dateigröße:
18670587 bytes 
Seiten:
151 
Letzte Änderung:
30.07.2012