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Originaltitel:
Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren 
Übersetzter Titel:
Physics-based Modelling and Numerical Simulation of Nanowire-Tunneling Field-Effect Transistors 
Jahr:
2015 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Gutachter:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Sprache:
de 
Fachgebiet:
ELT Elektrotechnik 
Stichworte:
phononenunterstütztes Band-zu-Band Tunneln, Tunnelfeldeffekttransistor, Optimierung, Modellierung 
Übersetzte Stichworte:
phonon-assisted band-to-band tunneling, tunneling field-effect transistor, modelling, optimisation 
TU-Systematik:
ELT 200d 
Kurzfassung:
Im Rahmen dieser Arbeit werden die Eigenschaften von Nanodraht-Tunneltransistoren in unterschiedlichen Bauformen mit Hilfe von numerischen Simulationen analysiert. Um eine Optimierung der Schalteigenschaften zu erzielen, werden die Auswirkungen von Dotierprofilen, Geometrie und Materialeigenschaften untersucht und daran anschließend die zugrunde liegenden Mechanismen erklärt. Da das Standardmodell zur Beschreibung von Band-zu-Band Tunnelprozessen einen Fehler aufweist, wird ein korrigiertes Mo...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Using physical device simulation, the functionality and performance of various nanowire tunneling field-effect transistors is investigated. The focal point of this work is directed on the optimisation of the switching behaviour of nanowire tunneling transistors by the variation of the doping profiles and the geometrical dimensions. Special attention is focused on the possibility to improve the device performance by considering alternative materials for the gate-stack and the source region. In co...    »
 
Mündliche Prüfung:
24.04.2015 
Dateigröße:
10718144 bytes 
Seiten:
141 
Letzte Änderung:
02.07.2015