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Original title:
Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren 
Translated title:
Physics-based Modelling and Numerical Simulation of Nanowire-Tunneling Field-Effect Transistors 
Year:
2015 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.); Hansch, Walter (Prof. Dr.) 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
phononenunterstütztes Band-zu-Band Tunneln, Tunnelfeldeffekttransistor, Optimierung, Modellierung 
Translated keywords:
phonon-assisted band-to-band tunneling, tunneling field-effect transistor, modelling, optimisation 
TUM classification:
ELT 200d 
Abstract:
Im Rahmen dieser Arbeit werden die Eigenschaften von Nanodraht-Tunneltransistoren in unterschiedlichen Bauformen mit Hilfe von numerischen Simulationen analysiert. Um eine Optimierung der Schalteigenschaften zu erzielen, werden die Auswirkungen von Dotierprofilen, Geometrie und Materialeigenschaften untersucht und daran anschließend die zugrunde liegenden Mechanismen erklärt. Da das Standardmodell zur Beschreibung von Band-zu-Band Tunnelprozessen einen Fehler aufweist, wird ein korrigiertes Mo...    »
 
Translated abstract:
Using physical device simulation, the functionality and performance of various nanowire tunneling field-effect transistors is investigated. The focal point of this work is directed on the optimisation of the switching behaviour of nanowire tunneling transistors by the variation of the doping profiles and the geometrical dimensions. Special attention is focused on the possibility to improve the device performance by considering alternative materials for the gate-stack and the source region. In co...    »
 
Oral examination:
24.04.2015 
File size:
10718144 bytes 
Pages:
141 
Last change:
02.07.2015