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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- US020110310655A1
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ, DE BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ, DE BANDYOPADHYAY ABHIJIT, US CHEN YUNG-TIN, US FU CHU-CHEN, US JAYASEKARA WIPUL PEMSIRI, US KAI JAMES, US MAKALA RAGHUVEER S, US RABKIN PETER, US SAMACHISA GEORGE, US ZHANG JINGYAN, US
- Titel:
- Composition Of Memory Cell With Resistance-Switching Layers
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 22.12.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX