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- Dokumenttyp:
- Patentanmeldung
- Patentanmeldung Nr.:
- US2011310656 (A1)
- Erfinder:
- KREUPL FRANZ [DE]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
- Patentanmelder:
- KREUPL FRANZ [DE]; FU CHU-CHEN [US]; NIAN YIBO [US]
- Titel:
- Memory Cell With Resistance-Switching Layers Including Breakdown Layer
- Anmeldeland:
- US
- Anmeldenummer:
- US2011310656 (A1)
- Veröffentlichungsdatum / Anmeldung:
- 22.12.2011
- Jahr:
- 2011
- Sprache:
- en
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX