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- Dokumenttyp:
- Patent
- Patent, Gebrauchsmuster Nr.:
- US 7709827 B2
- Erfinder:
- GRAHAM ANDREW, DE HOFMANN FRANZ, DE HOENLEIN WOLFGANG, DE KRETZ JOHANNES, DE KREUPL FRANZ, DE LANDGRAF ERHARD, DE LUYKEN JOHANNES RICHARD, DE ROESNER WOLFGANG, US SCHULZ THOMAS, US SPECHT MICHAEL, DE
- Titel:
- Vertically integrated field-effect transistor having a nanostructure therein
- Anmeldeland:
- USA
- Veröffentlichungsdatum / Patent:
- 04.05.2010
- Jahr:
- 2010
- TUM Einrichtung:
- Hybride Elektronische Systeme
- Format:
- Text
BibTeX