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Original title:
Untersuchungen zur Robustheit von IGBT-Chips im Lawinendurchbruch 
Translated title:
Ruggedness of IGBT-chips in the avalanche breakdown regime 
Year:
2011 
Document type:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Advisor:
Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Referee:
Amann, Markus-Christian (Prof. Dr.); Hansch, Walter (Prof. Dr.); Wachutka, Gerhard (Prof. Dr.) 
Language:
de 
Subject group:
ELT Elektrotechnik 
Keywords:
IGBT, Leistungsbauelement, Avalanche, Lawinendurchbruch, Randabschluss 
Translated keywords:
IGBT, power device, avalanche, edge termination 
Abstract:
Diese Arbeit analysiert "Insulated Gate Bipolar Transistoren" (IGBTs) unter rauen Einsatzbedingungen, wie sie zum Beispiel beim Einsatz in Automobilen vorliegen. Die Motivation hierzu ist, einen maximal möglichen sicheren Arbeitsbereich ("Safe Operating Area") zu realisieren, bei dem das Bauelement bei großen Strömen und hohen Temperaturen im Lawinendurchbruch ohne Zerstörung betrieben werden kann. Anhand von numerischen Simulationen und elektrischen Messungen wird das Verhalten von IGBT-Chips a...    »
 
Translated abstract:
This work investigates Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) in harsh operating conditions as required in automotive applications. Achieving the largest possible safe-operating area within which devices operate under large avalanche-currents and high temperatures without destruction is a major concern in the field of power devices. We investigated by numerical simulations and electrical measurements the behavior of IGBT-chips and two different behaviors were determined: IGBT-chips with a ju...    »
 
Oral examination:
03.02.2011 
File size:
3360617 bytes 
Pages:
107 
Last change:
15.02.2011