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Originaltitel:
Shallow dopants in nanostructured and in isotopically engineered silicon 
Übersetzter Titel:
Flache Donatoren und Akzeptoren in nanostrukturiertem und isotopenangereichertem Silizium 
Jahr:
2010 
Dokumenttyp:
Dissertation 
Institution:
Fakultät für Physik 
Betreuer:
Prof. Dr. Martin S. Brandt 
Sprache:
en 
Fachgebiet:
PHY Physik 
TU-Systematik:
PHY 690d ; PHY 696d 
Kurzfassung:
The first part of this thesis addressed the phosphorus doping of silicon nanocrystals (Si-NCs). It is found that both the atomic P incorporation efficiency near to 100% and its segregation to the surface during growth by a gas-phase method are independent of the Si-NC size. Electron spin resonance data show that the concentration of donor electrons falls below the atomic P concentration by at least one order of magnitude, which for large Si-NCs is due to P compensation by Si dangling bonds. More...    »
 
Übersetzte Kurzfassung:
Der erste Teil dieser Arbeit beschäftigt sich mit der Dotierung von Silizium-Nanokristallen (Si-NC) mit Phosphor. Es wird eine vom Partikeldurchmesser unabhängige atomare Einbaueffizienz von nahezu 100% sowie eine P-Segregation an der Si-NC-Oberfläche nachgewiesen. Elektronenspinresonanz zeigt, dass die Konzentration der Donatorelektronen mindestens eine Größenordnung unter der atomaren P-Konzentration liegt, was für große Si-NC auf Kompensation der Donatoren durch Si-Dangling bond-Defekte zurüc...    »
 
Schlagworte:
Siliciumhalbleiter ; Dotierung ; Flache Störstelle 
Letzte Änderung:
28.02.2014